LTE芯片:梦想照现实

 中国电子报、电子信息产业网  作者:李映 李侠
发布时间:2013-06-25
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  LTE已然迈入“高铁”时代,全球LTE的布网速度不断加快。TD-LTE在全球产业链中正逐步形成并扩大,目前已经包括了超过10家系统设备厂商、超过18家芯片厂商、10余家测试设备厂商,以及50多家终端厂商。中移动宣布,今年将投入417亿元开发4G技术。而中国移动采购与招标网于6月20日发布的公告揭开了超200亿元4G设备招标的序幕,表明中国移动要上4G,而且要今年上,这是基本确定的了。有预测,联通和电信也将LTE作为今年推广重点,相关牌照将会同步发放。2013年,对LTE的发展来说,将会是梦想步入现实的一年。正如高通公司高级副总裁兼大中华区首席运营官Jeff Lorbeck所预测的,从今年到2017年,LTE产品将有70%的年复合增长率,这将是近年来成长异常迅猛的技术之一。

  千元LTE手机指日可待

  28nm工艺芯片的推出,将会使更多TD-LTE手持类智能终端和平板电脑问世。

  终端是通信产业链制造环节的最后一环,历来都是产业链上的短板。目前在终端形态方面,主要为数据类终端,包括上网卡、MiFi、CPE等,手持类终端较少。联芯科技总裁助理刘光军指出:“随着LTE终端芯片的发展,28nm工艺芯片的推出,将会使更多TD-LTE手持类智能终端和平板电脑问世,将呈现出比3G时代更加多样化的特征。”

  记者从6月19日高通在深圳举行的合作伙伴大会上获悉,基于采用骁龙400 8930处理器的QRD平台,天宇朗通发布新的Touch 1智能终端,支持LTE TDD/3G多模。这标志着TD-LTE将进入更加廉价的时代,这正符合了中国移动年内推出TD-LTE千元机的市场策略。

  LTE手机已然打开“局面”,而且一开始就瞄准千元市场,有望加速推进其普及。谈到中国移动的千元TD-LTE手机策略时,Jeff Lorbeck表示:“预测未来的手机价格是最难的事情,因为终端价格的下降速度总是出乎意料。如果仅考虑成本,通过减少功能、屏幕、内存等元器件的做法也是可以降低价格的。目前高通以及合作伙伴的合作方式主要是OEM、ODM厂商授权许可,因此会存在一定的知识产权版税问题。不过当硬件、软件、网络开发商加入进来以后,就会采用研发授权模式,至于授权的费用也是可以商榷的,所以千元4G手机的到来指日可待。”

  芯片应立足长远

  射频是目前LTE发展的“短板”。目前全球共有40种不同的射频频段,需要芯片厂商加快联合攻关步伐。

  芯片厂商已然从“望梅止渴”阶段步入“胜利在望”阶段。受市场发展趋势逐步明朗及整体产业生态环境持续向好的鼓舞,高通、美满(Marvell)、Altair、Sequans等国际芯片厂商以及海思半导体、中兴微电子、创毅视讯、展讯、联芯等国内芯片厂商纷纷跟进市场需求,先后推出其多模或单模TD-LTE芯片,率先抢占市场先机。

  众所周知,在LTE终端芯片方面,多模多频、功耗和成熟度、高集成度是芯片的重要门槛和难点。刘光军提到,在技术及工艺上主要有以下几大发展趋势:一是多模多频:终端芯片需要支持LTE-FDD、TDD-LTE等多种移动通信制式,支持通信频段从FDD Band 1到FDD Band 25,TDD Band 33到TDD Band 44,数量繁多;支持频率从700MHz到3.5GHz,跨度巨大。二是芯片计算、图形、多媒体处理能力要求逐步提高,CPU频率从1GHz向2GHz演进,由单核向多核演进,图形处理由纯3D/2D图形加速,向辅助计算演进。同时,又要确保用户的使用时长。三是集成度、成本、功耗和性能联合推动LTE芯片加速向20nm甚至更先进工艺演进,同时要求更先进的封装技术。“同时,单芯片SoC、系统级封装也有助于实现芯片套片的小型化,进一步实现成本下降。”刘光军进一步指出。

  随着LTE芯片的集成度不断提高,处理能力也将大幅度提升,同时对多媒体的处理能力将会增强。Marvell移动产品总监张路博士表示,客户对芯片的视频处理能力、音频处理能力(如多声道、干扰消除需求等)提出了更高要求。

  除比拼LTE基带芯片之外,射频也是目前LTE发展的“短板”。目前全球共有40种不同的射频频段,需要芯片厂商加快联合攻关步伐。美国高通技术公司产品市场副总裁颜辰巍表示,高通的射频前端解决方案RF360在缓解这一问题的同时,能够提高射频的性能,帮助OEM厂商更容易地开发支持所有7种网络制式的多频多模移动终端。

  行业洗牌在即

  LTE正式商用后,将出现很大的分化,并购、垮掉、拆分是芯片企业必然的命运,最后将是“剩者为王”。

  众多芯片厂商加入角逐,拼的是“底气+实力+路线图”。虽然现在有十几家厂商在做芯片,但还在研发投入期,分不出伯仲。等到LTE正式商用后,将出现很大分化,并购、垮掉、拆分是芯片企业必然的命运,最后将是“剩者为王”。有分析说未来LTE芯片厂商会形成三个梯队:高通、英特尔有望成为第一梯队,博通和三星可能成为第二梯队,Marvell、MTK和展讯等在第三梯队中。

  从我国芯片厂商来看,国内TD-LTE芯片技术成熟度与国外半导体巨头相比仍有较大差距。一是虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和技术优势,但是由于TD-LTE是多模标准,而国内芯片企业普遍缺乏研发WCDMA和FDD LTE芯片的成熟经验,导致在竞争中国内厂商的发展受到制约。二是在工艺上,未来智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28nm,停留在40nm的国内厂商还需要加快对先进工艺的投入与研发步伐。三是未来LTE将向LTE-Advanced演进,多模多频段的LTE-Advanced芯片将是芯片厂商未来成功的关键。

  国家应该加大力度用招标采购、产业研发基金扶持国内TD-LTE芯片企业。另外,在现阶段TD-LTE的研发目标上可适度放宽要求,无需一味追求5模10频、5模12频,这样国内芯片厂商跟上TD-LTE的商用步伐将不成问题。


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:张汝娟
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